(GNRs)的初步研究，首先先将机械裂解的石墨烯放在带有排列标记的sio2衬底上，然后对样品进行短y蚀刻，形成六角形凹坑，以便根据凹坑方向确定方向，然后，在室温下通过电子束光刻和O 2等离子体蚀刻，制备了宽度约为120 纳米的石墨烯带，最后通过氢等离子体蚀刻将120纳米宽的条带减小到20纳米以下，利用这种各向异性蚀刻技术和蚀刻后高温退火，可以获得具有原子级光滑边缘的GNRs，为了降低接触电阻，使用石墨烯作为接触电极，使用Ti/Au(2/20nm)金属焊片进行测量。作为比较，量子混淆而具有带隙的半导体，该特殊器件的门电压调制时的开态和关态电流变化在2个数量级以上，该装置的电阻约为50kΩ。
总之，展示了一种针对石墨或石墨烯基平面的干蚀刻方法，蚀刻强烈地依赖于晶体取向，导致锯齿状边缘的形成，该蚀刻过程归因于碳原子的氢化和挥发，其蚀刻动力学与甲烷的形成相一致，这种干燥的、各向异性的蚀刻方法非常适合于石墨烯的裁剪，因为蚀刻速率可以被精确地控制，并且可以保持石墨烯的质量。这种简单、干净、可控、可扩展的技术也与现有的半导体处理技术相兼容。假设有晶片级单晶石墨烯样品，这种各向异性蚀刻技术在与标准光刻技术相结合时，将为制造大规模石墨烯纳米结构提供一个有用的工具，因此可以基于合适的起始材料和本文讲述的方法，为未来的集成石墨烯纳米器件铺平一条道路。
