SiC应用领域主要分为射频器件（5G、国防等）和功率器件（新能源等）。其中新能源汽车是SiC器件最大的应用市场，据Yole预测，其2025年份额将超过50%。海通证券认为，随着SiC零部件在电动车中不断替代渗透，单车SiC价值量也将逐步增加。
从供需方面看，业内人士根据一些市场部门的调研和归纳总结，认为2025年全球SiC衬底产量总共282万片，其中中国89万片，中国以外的地区193万片，而保守情况下需求量为365万片，乐观情况下728万片。这意味着届时SiC将供不应求。
“目前SiC、GaN器件大规模商用的最大障碍还是产品性价比。”上述高管对第一财经表示，SiC二极管已经规模商用，SiC MOS器件国内部分企业实现技术突破，在大规模制造能力方面还需要持续优化。
从产业链角度看，目前国内布局SiC的上市公司可大致分为五类：1）专注衬底材料，如国内半绝缘型SiC衬底龙头天岳先进，导电型衬底市占率国内第一的天科合达；2）器件端IDM，如华润微（688396.SH）、斯达半导（603290.SH）、闻泰科技（600745.SH）等；3）材料到器件一体化布局，如三安光电；4）芯片设计厂商，如新洁能（605111.SH）；5）上游设备厂商等，如露笑科技（002617.SZ）布局设备和材料，中微公司（688012.SH）布局外延设备。
其中，三安光电的SiC业务由湖南三安半导体完成，总投资160亿元，规划年配套产能36万片6英寸SiC晶圆，涵盖SiC全产业链，包括长晶、衬底、外延、芯片制造和封装测试。2021年6月份一期已经建设完成，二期预计在2024年完成。
国内GaN产业链加速布局
GaN材料具备多重性能优势。首先，GaN可以进一步提高开关频率，这意味着可以减少系统材料的体积和面积，其次，GaN的高饱和电子浓度可以大幅降低导频损耗，实现小尺寸的功率器件设计。
“用650V的GaN器件和SiC器件对比，前者体积约1/2甚至更小。”英诺赛科（珠海）科技有限公司高级副总裁孙毅表示，氮化镓是解决未来发展矛盾的最佳方案。
GaN在快充领域的应用已经被证明。根据Yole，2021年GaN功率器件下游应用中，消费电子占比63.2%，以消费类快充应用为主。
不过，由于技术制约，当前GaN器件仍难以实现在10KW、1200V以上的大功率场景应用。以新能源汽车为例，GaN器件当前多用于DCDC、OBC等小功率场景，难以在电机控制器实现应用。因此，SiC MOSFET主攻高压领域，GaN MOSFET主攻高频领域。
GaN MOSFET凭借其超高频率的特性在5G射频领域广泛应用。刘柱表示，经过三十多年的发展，目前我国整体GaN射频器件的水平跟国外基本上保持同步发展，甚至在某些新的技术或新设计方面领先。
“GaN电力电子产品在快充领域已经规模应用，接下来需要进一步提高工作电压及可靠性、需要持续往高功率密度、高频与高集成方向发展，并进一步拓展应用领域。”上述高管直言。
GaN产业链玩家的分类与SiC类似，海外企业在GaN功率半导体技术及产能上较为领先，包括英飞凌、Qorvo等。
国内GaN产业链也在加速布局中。国内企业在衬底、外延、设计、制造等领域均已布局，包括GaN衬底制造商苏州纳维、东莞中镓；外延制造商晶湛半导体、江苏能华；设计企业安谱隆、海思半导体；制造企业三安集成、海威华芯等。
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