对于钽污染室中的SF6等离子体，观察到中心低的蚀刻速率，从标准化的OES数据中，了解到氟在钽上具有低复合概率，因此在室壁上损失的氟更少，这应该提供最均匀的过程，通过中心注入的“重”SF6在到达锅炉时不能很好地混合，结果是中心低蚀刻速率，在洁净室中，复合概率更高，并且中心注入的效果被完全抵消，这导致中心高蚀刻速率，这对于具有高复合概率的壁的反应器来说是典型的，在O2等离子体的情况下，没有观察到气体注入的影响，可能是因为O2分子的质量较小。
本文研究了室壁成分对刻蚀速率均匀性的影响。特别关注金属污染对等离子体均匀性的影响，因为一些金属如氧化钽不容易用标准清洗工艺从室壁上去除。一般来说，具有低复合概率的反应堆壁将在整个反应堆中产生最均匀的中性粒子分布，对于氯和溴，与阳极氧化铝相比，在钛和钽氧化物上观察到类似的复合概率，对于氟和氧，我们观察到，与阳极氧化铝相比，金属氧化物的再结合几率分别较低和较高，因此，金属蚀刻残留物会影响氟基和氧基等离子体中的蚀刻速率均匀性。
