近几年争论最多的就是芯片技术，随着美方限制方案的升级，为了防止未来在芯片领域受到卡脖，全球各国芯片企业都在研发属于自己的专利。
因为目前高端芯片的技术掌握在ASML公司的手里，为了打破这种垄断的情况，在芯片行业绕开光刻机已经成为大家共同的目的。如今我国的企业已经有了研究成果，这对于ASML公司来说压力越来越多，今天我们就来聊一聊。
一、超导量子芯片
近期华为宣布在超导量子芯片的研制中有了新的突破。此次华为成功地解决了量子比特之间的串扰问题，而这个问题一直都是芯片领域中难解的技术，如今被华为申请了专利。
超导量子芯片可以有效地提高计算能力，相对于传统芯片来说光刻机是不能缺少的一部分。可是超导量子芯片是可以绕开光刻机，通过量子的碰撞进行信息处理和传输，中间减少了光刻机这个环节。华为超导量子芯片的成功使我国国产芯片突破了美国的技术壁垒。
除了超导量子芯片的成果，我国在芯粒技术上也有了新的进展。芯粒技术就是在摩尔定律发展缓慢的情况下未来半导体工艺发展方向之一，就是将多个加工出来的芯片利用先进的封装技术来实现弯道超车。
简单点说是把多个单个芯片通过搭积木的方式结合起来。比如把几个7nm的芯片拼装起来可以提升芯片40%的能力，功耗下降14%。这种芯片主要用于汽车、机器人、电脑等产品中。
目前我国在芯片领域采用的是多渠道探索，光子芯片也是我国芯片领域的另一项技术。
二、光子芯片
为了绕开光刻机的限制，我国首个光子芯片生产线预计在2023年在北京建成。到时可以满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等多个领域的需求，可以填补我国在光子芯片领域的空白。
光子芯片就是采用光波来传递信息和数据运算，相对于传统芯片来说光子芯片的速度高功耗低。计算速度比电子芯片快大约1000倍，在相同的功耗下光子芯片比电子芯片快数百倍。
光子芯片的独特优势十分明显，未来无论是互联网还是5G网络，都离不开光纤和光纤产品。所以不需要光刻机我国也可以生产出所需要的芯片。
在绕开光刻机的科技企业中美国的美光科技近期公布了一项研制成果，1β制造工艺的DRAM内存芯片已经研制成功。
