据韩国《中央日报》，三星电子将在6月30日左右正式发布其3纳米芯片量产消息。三星电子此前公布计划，将在今年上半年量产基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米制程产品，2023年推出第二代3纳米产品，2025年量产2纳米产品。
三星称，与现有的FinFET工艺相比，GAA技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。
今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3纳米芯片。
据韩国《中央日报》，三星电子将在6月30日左右正式发布其3纳米芯片量产消息。三星电子此前公布计划，将在今年上半年量产基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米制程产品，2023年推出第二代3纳米产品，2025年量产2纳米产品。
三星称，与现有的FinFET工艺相比，GAA技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。
今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3纳米芯片。
