芯片制程越往下越难，三星实现了3nm量产，台积电也计划在下半年量产3nm。但是想要继续前进，付出的时间和精力都会成倍增加。
而华为芯片破冰，探索出了芯片堆叠的发展方向，可以让芯片取得更大的性能突破。在这之后三星，台积电相继宣布新消息，定下在2025年量产2nm，三星还会在2027年量产1.4nm。这意味着什么？高端芯片制程还能走多远？
摩尔定律的极限探索
摩尔定律是否达到极限在业内一直存在争执，英特尔认为摩尔定律可以继续存在十年，希望到十年内芯片可容纳晶体管的数量达到1万亿个。但是英伟达却认为摩尔定律已经走到尽头。
不管是英特尔还是英伟达，都是业内最顶尖的芯片巨头，所以相关发言也是具有权威性和可信度的。但关于摩尔定律的争论双方却各执一词，也都有各自的道理。
所谓的摩尔定律，其实是英特尔创始人戈登・摩尔提出的，认为芯片上的晶体管数量每隔两年会实现翻倍。
而晶体管的数量越多，芯片性能越强，相当于芯片可以不断突破，取得更强劲的表现。但是要实现这一点，就必须采用更先进的设备和制造技术，让芯片制程变得更小，难度也在成倍增加。
所以芯片制程的提升速度放慢了，若摩尔定律走到尽头，芯片性能也会止步不前。
不过华为芯片取得了“破冰”，探索出了芯片堆叠的发展路径。华为对芯片领域的研发非常深入，自从海思在市场上遭遇变故以来，就没有停止前进。
而芯片堆叠是海思在探索未来发展方向的一个尝试，也是对摩尔定律极限的探索，并且在苹果 M1 Ultra芯片上得到了验证。因为M1 Ultra就是将两颗芯片拼接组合使用，和华为的芯片堆叠存在理论上的一致。
芯片堆叠带来的效果就是1+1等于2，两颗芯片组合带来双倍性能。从而让摩尔定律的极限继续往下延伸，让芯片可以突破更高的性能表现。
台积电，三星先后官宣了，事关高端制程突破
芯片堆叠理论上可以延续摩尔定律，带来性极限性能的突破，但也并非没有缺陷。两颗芯片堆叠使用，无疑会占用设备面积空间。如果是放在智能手机这种空间有限的设备中，芯片堆叠明显是不合适的。
而且若没有足够的空间进行散热，芯片运行产生的温度足以劝退用户。所以叠加的不只是性能，还有功耗。
现阶段只有在主机，汽车这类对空间有足够容纳度的智能终端才能搭载堆叠的芯片，短时间内还不能用在智能手机，平板等消费电子产品。所以在这些行业领域，要想取得更大的性能突破，只能打破摩尔定律的极限，在传统的工艺路径中，持续挖掘高端芯片制程。
关于这一点，台积电，三星先后官宣了，事关高端制程突破。
首先台积电明确表态，会在2024年获得ASML下一代的NA EUV光刻机，并用于在2025年量产2nm芯片。除此之外台积电还组建了研发团队，进行1.4nm芯片的研发。
