本土企业中，时代电气和比亚迪业务垂直整合，从IGBT芯片设计到最下游的电控系统均有布局； 士兰微作为IDM大厂，业务同样完整覆盖芯片设计、晶圆制造和模块封装；斯达和宏微均采用 Fabless的模式，专注芯片设计和模组封装环节，晶圆制造则外包给晶圆代工厂完成；智新半导体 和青蓝半导体则专注于模组封装环节；华虹、积塔和中芯绍兴则专业从事IGBT晶圆代工。
斯达半导：营收稳定增长，新能源占比持续提升
公司营业收入实现稳定增长，过去五年复合增速达41.5%。在营收端公司表现出稳定的成长性。 受益于公司下游工业控制、新能源汽车、新能源发电及变频白电等行业的快速发展，以及公司 IGBT产品进口替代比例的持续上升，公司营业总收入从2016年的3.01亿元增长至2021年的17.07 亿元，五年复合增长率高达41.5%。
比亚迪半导体：车规级IGBT领先企业
公司是国内领先的车规级半导体企业。公司的前身为比亚迪半导体事业部（第六事业部），目前 公司主要从事功率半导体（IGBT、碳化硅器件）、智能控制IC（MCU芯片、电源IC）、智能传 感器以及光电半导体的研发生产和销售。
时代电气：高压IGBT龙头进军车规级市场
轨交装备龙头持续拓展新兴装备业务。公司主业为轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售 和相关服务，产品包括轨道交通电气装备、轨道工程机械和通信信号系统等。与此同时，公司还 在不断拓展轨交以外的新兴业务，如功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传 感器以及海工装备等。
5.碳化硅——第三代半导体功率器件大有可为
碳化硅材料具有优越的性能
常见的半导体材料包括硅、锗等元素半导体以及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体材料， 根据研究和规模化应用的时间先后，业内通常将半导体材料划分为三代：
第一代半导体材料：以硅和锗为代表，典型应用是集成电路。硅基半导体材料是目前产量最大、 应用范围最为广泛的半导体材料。
第二代半导体材料：以砷化镓为代表。砷化镓电子迁移率为硅的6倍以上，其器件具有高频、高 速的光电性能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域。
第三代半导体材料：以碳化硅和氮化镓为代表。相比于前两代半导体材料，碳化硅具有禁带宽度 大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力强等特点，适用于高压、高频 和高温的场景，特别适合于电力电子领域的高功率半导体器件的制造。
碳化硅器件的性能同样优于硅基器件
得益于碳化硅材料的优异特性，基于碳化硅材料的碳化硅功率器件具有优越的电气性能：
耐高压：碳化硅材料的击穿电场强度为传统硅基材料的十倍，因此碳化硅功率器件的耐高压特性 显著强于同规格的硅基功率器件；
耐高温：一方面，碳化硅的热导率为硅材料的三倍以上，在同样功率的情况下具有更好的散热能 力，保持更低的温度，由此降低器件散热设计方面的要求，有利于提高集成度，使得器件向小型 化方向发展。另一方面，碳化硅的禁带宽度是硅基的三倍以上，禁带宽度越宽，器件的极限工作 温度越高（半导体器件在高温下会产生载流子本征激发现象，造成器件失效），因此碳化硅功率 器件的极限工作温度能达到600 以上，而目前硅基的IGBT工作温度一般在175 。
低损耗：碳化硅饱和电子漂移速度是硅的两倍以上，因此碳化硅器件具有更低的导通电阻，导通 损耗低；碳化硅器件不存在电流拖尾，开关损耗也比硅基器件要低，也可以实现更高的开关频率。
碳化硅产业将迎来快速发展
受新能源汽车应用的带动，碳化硅器件市场将高速增长。根据Yole的预测，受益于碳化硅在新能 源汽车、工业和能源等领域需求的增长，全球碳化硅器件市场将从2021年10亿美元的规模增长至 2027年的60亿美元以上，复合增速将高达34%；其中汽车碳化硅器件的市场将从2021年的6.85亿 美元增长至2027年的约50亿美元，复合增速高达40%，至2027年汽车碳化硅器件市场规模将占到 碳化硅器件市场总规模的80%左右。
