提到芯片的工艺，大家肯定都知道，其制造环节离不开光刻机，而7nm以下的先进工艺更需要EUV光刻机。在光刻机领域里，ASML可以说是一家独大，特别是EUV只有它能生产。
但是，自2022年以来，ASML的处境似乎就并不太好。如今，又传来三个消息，各大芯片厂似乎要和它说再见了，难道预示着ASML时代或将落幕？
三个方面传来消息
其一，国内光子芯片传出好消息
自从华为受打压以来，国内科企掀起了芯片自研潮，也开始另辟蹊径寻求新材料和技术突破。其中，光子芯片就是一个不错的方向，如今也迎来了好消息。
据中科鑫通方面的消息称，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成。届时，该条生产线填补了国内在光子芯片晶圆代工领域的空白，其制造的芯片，能满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求。
其中可以看到，可以为通信领域的相关芯片代工，说明，涵盖手机、5G网络等相关移动通信技术的芯片。这就解决了不少芯片问题，对于国产芯片的发展来说，是个利好消息。
其二，芯片大厂成立3D Fabric联盟
上个月底，台积电对外宣布称，将和各大芯片厂联合成立开放创新平台3D Fabric联盟，推动3D半导体的发展。截至目前，加入该联盟的已有19家半导体厂商，其中包含：美光、三星及SK海力士等全球排名前十的部分厂商。
该联盟成立后，将会协力研究3D先进封装技术，以便未来打造性能更强的芯片，同时还能降低生产成本。此举是为了通过提升封装工艺，来延续芯片的摩尔定律，向先进工艺进发。
可以说，此方式也是一种创新技术，为传统芯片工艺开辟了一条新路。
其三，美光推出先进的1β工艺
本月初，美光对外宣布称，新版DRAM内存芯片采用了最新的1β(1-beta)工艺，且样片已给部分手机、芯片厂商进行验证。美光表示，目前已在LPDDR5X移动内存上率先应用1β工艺，更多基于1β工艺的内存产品，将在明年推出。
据了解，美光的1β工艺融合多重曝光光刻技术、先进材料和工艺，利用专有的技术生产能效更高、性能更强的芯片。该工艺生产的新内存在性能、密度、能效上都有显著提升，可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上。
这种技术创新，也是在传统工艺技术上做了变革，开创了一种新的工艺模式。
以上三个方面的消息，都是近期芯片厂商推出的新技术，基本上都在减少对先进光刻机的依赖，甚至要绕开了光刻机。对于ASML来说并非好消息，相反，各大厂商似乎要和它说再见了，难道ASML的时代或将落幕？
ASML的时代或将落幕？
众所周知，光刻机是传统硅芯片制造的核心设备，没了它半导体或遭断链危机，代工厂或将无法制造和封装硅芯片。然而，在光刻机领域里，ASML市场的占有率达80%以上，是行业的龙头企业。
自1994年前后，三星抛弃尼康成为ASML的客户，ASML迎来了成功故事。十年（约2006年左右）后，ASML开发出EUV原型，开启了它的时代，二十年来，一直占据着全球大半壁江山。
ASML的时代下，EUV也一直处于供不应求的状态，台积电、三星、英特尔等芯片大厂，都希望能够得到ASML更多的产能。
但是，EUV光刻机越先进，单个成本越昂贵，目前已超1.2亿美元，且运行成本非常高，一天耗电量至少在3万度以上。随着芯片工艺来到3nm节点，摩尔定律也逼近物理极限，再去追求高性能，可能会成本飙升、良率不保。
这促使了一些厂商，想要另辟蹊径，开始着手开发新技术，以求减少对光刻机的依赖。
